Обратите внимание на минимальное падение частоты кадров в Battlefield 1 при использовании памяти с низкой частотой и высокой синхронизацией (CL16, CL18). Вывод очевиден: если вы хотите комфортно играть в многопользовательские шутеры и избегать лагов в самые критические моменты, вам следует использовать как минимум один комплект оперативной памяти DDR4-2666.
Что такое и как узнать тайминги (латентность) в оперативной памяти
В этой статье мы узнаем, что такое тайминги оперативной памяти, каковы наилучшие настройки задержки для скорости и как отобразить их на вашем ПК или ноутбуке. Мы поймем, как выбрать и установить тайминги оперативной памяти и какие эффекты они оказывают. Ниже приведена ссылка на калькулятор времени и таблицу для типов и частот основной памяти.
При выборе оперативной памяти для настольного компьютера или ноутбука мы обычно смотрим на объем оперативной памяти, тактовую частоту и тип памяти DDR, чтобы убедиться в совместимости с материнской платой. Однако у памяти RAM есть еще одна характеристика, а именно время, или, говоря научным языком, латентность. И этот параметр замечают только эксперты и продвинутые геймеры.
Да, задержка менее важна, чем емкость и рабочая частота модуля, но если правильно подойти к этому вопросу, ее снижение может значительно повысить производительность компьютера. Чем более продуманным и сбалансированным будет ваш выбор аппаратного обеспечения компьютера или ноутбука, тем большего прироста скорости можно добиться, установив память с более низкими таймингами.
Чем выше частота и ниже тайминги, тем быстрее работает оперативная память.
Разбираемся с основными значениями таймингов
Задержка CAS (сокращенно CL), обычно называемая «таймингом», — это временная задержка, возникающая при обращении процессора к оперативной памяти. Эти задержки измеряются в трактах шины памяти.
Чем ниже тайминги, тем быстрее происходит обмен данными между процессором и памятью, и тем выше производительность памяти.
Каждая временная задержка имеет свое название и отвечает за скорость передачи определенных данных.
В спецификации оперативной памяти эти числа записываются в строгой последовательности из трех или четырех цифр:
Задержка CAS, задержка RAS-to-CAS, время предварительной зарядки RAS и время цикла DRAM tras/trc (активная задержка до предварительной зарядки). Аббревиатура может иметь следующую форму: CL-RCD-RP-RAS.
Большинство производителей указывают тайминги в информации на модулях памяти. Они могут состоять до 4 цифр, например: 9-9-9-24
или только один, например CL11.
. В данном случае имеется в виду первый параметр, т.е. задержка CAS.
Давайте теперь объясним эти задержки более подробно.
Для иллюстрации возьмем две карты памяти DDR3 1600 МГц 8 Гб DDR3, каждая из которых имеет тайминг 11-11-11-28.
Эта информация на карте памяти хранится на чипе SPD и доступна на чипсете материнской платы. Эту информацию можно просмотреть с помощью специальных утилит, таких как CPU-Z или HWINFO.
Задержка CAS (tCL) — это тайминг основной памяти, который в наибольшей степени влияет на скорость работы памяти. Он всегда упоминается первым в спецификации памяти. Он определяет интервал времени между подачей команды чтения/записи и началом ее выполнения.
Это время может быть измерено в наносекундах. Для этого лучше всего использовать калькулятор. Введите частоту в МГц (в нашем случае 1600) и время задержки (11). В результате время задержки между подачей команды чтения/записи и началом ее выполнения составляет 13,75 наносекунд.
Остальные задержки, как правило, незначительны, и при выборе карт памяти достаточно обращать внимание только на этот параметр.
Задержка RAS-CAS (tRCD) — это задержка между RAS и CAS. Время от обращения к строке таблицы (RAS) до обращения к столбцу таблицы (CAS), в котором хранятся нужные данные.
Время предварительной загрузки RAS (tRP) — это время, которое проходит между завершением доступа к строке таблицы и началом доступа к другой строке данных.
Время активного ряда (tRAS) — это пауза, необходимая для возвращения памяти в состояние ожидания следующего запроса. Он определяет соотношение между интервалом времени, в течение которого строка открыта для передачи данных (tRAS — RAS Active time), и интервалом времени, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления строки (tRC — Row Cycle time), также называемый временем банковского цикла.
Как изменить
Тайминги могут быть изменены как в меньшую, так и в большую сторону путем разгона. Это требует точной настройки частоты и напряжения привода. Увеличение или уменьшение частоты памяти также может увеличить или уменьшить тайминги. Эти параметры устанавливаются индивидуально для каждого модуля памяти или набора памяти.
Вот один из комментариев о памяти, упомянутый выше ⇓.
Память очень приличная! Я смог разогнать процессор с базовой частоты 1600 МГц до 2200 МГц с таймингом 11-12-12-28 при напряжении 1,65 В.
Разгон составил 27%, что является очень хорошим результатом. В то же время тайминги и напряжение были увеличены незначительно. Такой разгон оказал довольно значительное влияние на общую скорость работы компьютера.
Цель разгона — оптимизировать частоту, тайминги и напряжение таким образом, чтобы устройство (или устройства) работало как можно быстрее и стабильнее. Это требует времени и знаний.
Кроме того, материнская плата должна поддерживать разгон. В настоящее время существует модуль памяти со встроенным профилем XMP, который диктует заводские параметры разгона, с которыми может работать память. Достаточно применить нужный профиль XMP, и память будет работать с этими параметрами.
В нормальном режиме работы компьютер получает все настройки оперативной памяти от микросхемы SPD, которая не припаяна к каждому модулю. Однако если вы хотите добиться максимальной производительности, попробуйте изменить тайминги. Конечно, можно приобрести устройства с минимальными задержками, но они могут стоить значительно дороже.
Настройки памяти можно изменить через BIOS компьютера или ноутбука. Универсального ответа на вопрос о том, как изменить тайминги памяти в биосе, не существует.
Параметры конфигурации памяти могут значительно отличаться от материнской платы к материнской плате. Материнские платы и ноутбуки более низкой ценовой категории могут иметь только настройки памяти по умолчанию и не иметь опции синхронизации памяти.
Более дорогие модели могут иметь большее количество настроек, помимо частоты и времени. Эти настройки называются субклокинг. Они могут быть полезны для тонкой настройки подсистемы памяти, например, для экстремального разгона.
Изменение таймингов может повысить производительность компьютера. При использовании памяти DDR3 этот параметр не является самым важным, и прирост будет не очень большим, но если на компьютере часто запускаются тяжелые приложения, не стоит им пренебрегать. То же самое относится и к более современным DDR4.
Разгон может дать гораздо больший эффект, и в этом случае тайминги следует не уменьшать, а увеличивать, чтобы добиться стабильной работы модулей памяти в ненормальном режиме.
Кстати, аналогичные рекомендации есть и по выбору памяти для новых процессоров AMD Ryzen: тесты показали, что для использования потенциала этих процессоров нужна память с максимальными частотами, даже в ущерб таймингам. Вот калькулятор времени для процессоров Ryzen.
Следует отметить, что оптимизация подсистемы памяти во всех случаях не приносит заметных результатов. Есть приложения, для которых важен только размер памяти, а точная настройка задержек увеличит погрешность.
Однако некоторые инженеры говорят о преимуществах использования задержки первого слова, когда речь идет о памяти. Эта задержка учитывает время первичной памяти вместе с длиной пакета, чтобы создать задержку, которая, по сути, говорит о том, сколько времени требуется для чтения слова из памяти.
Содержание
Проще говоря, рабочая память представляет собой таблицы двумерного массива, ячейки которого содержат необходимую информацию. Массивы ячеек одинакового размера, в свою очередь, объединяются в так называемые банки.
Для того чтобы контроллер и микросхема памяти могли выполнить любую операцию над данными в этой таблице, требуется определенное количество тактов шины памяти. Тайминг — это количество тактовых циклов или количество тактов, в течение которых операция памяти задерживается. Отсюда и название «хронометраж» или «задержка».
По этой причине две основные памяти с одинаковой частотой, но разной задержкой работают по-разному, и память с наименьшей задержкой является самой быстрой.
Какие тайминги бывают
Каждая операция в рабочей памяти может быть разделена на несколько этапов. Поэтому в спецификации для конкретной рабочей памяти приводятся различные тайминги, то есть задержки, возникающие на каждом этапе работы памяти. Тайминги указывают на следующие операции:
CL: CAS Latency — количество тактовых циклов между отправкой запроса в память и началом ответа на запрос. tRCD: RAS CAS Latency — количество тактовых циклов, необходимых контроллеру для активации нужного банковского ряда. tRP: RAS Precharge — количество тактовых циклов для загрузки и закрытия ряда, после чего может быть активирован следующий ряд. tRAS: Время активности строки — минимальное количество циклов, в течение которых строка активна. Он не может быть закрыт раньше этого срока.
Все эти тайминги указаны в параметрах оперативной памяти с точной строкой. На примере оперативной памяти Patriot Memory VIPER STEEL DDR4-3733 CL-17 21-21-41 видно, что это оперативная память DDR4, работающая на тактовой частоте 3733 МГц. Чтобы начать отвечать на входящий запрос (CL), требуется 17 тактов. 21 такт (tRCD) необходим для активации запрашиваемой линии и столько же тактов для ее закрытия и активации следующей линии (tRP). Сама линия может быть закрыта не ранее чем через 41 цикл (tRAS).
Как видите, каждая цифра в названии оперативной памяти имеет свое значение. И как только вы поймете это, вы сможете легко найти рабочую память, которая наиболее подходит для вас.
Как узнать тайминги ОЗУ
Значения временных параметров оперативной памяти можно найти в любом солидном магазине или на сайте производителя. Если вы хотите посмотреть характеристики доступной памяти, вы можете использовать CPU-Z или аналогичные утилиты.
